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手电筒日常常识

如何快速提高LED强光手电筒内量子效率

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LED外延结构的的内量子效率(IQE)对其亮度有着决定性的影响,而很多人的误解是IQE由MOCVD工艺决定,其实IQE应该是由外延材料的设计决定。而国内缺少的恰恰是外延结构的设计人才,只会用设备的人不一定能够长出高质量的材料。下面务优手电筒小编就简单介绍一下一些材料参数和结构对IQE的影响: 


双异质结结构:两侧的CL(CladdingLayer)的禁带宽度要大于AL(Active Layer),AL采用量子阱结构可以更好的限制载流子,从而提升IQE。另外一方面,采用量子阱AL,Barriers阻碍载流子在相邻阱的移动,所以采用多量子阱结构,Barrier需要足够透明(低和薄)以防止载流子在每个阱内的不均匀分配。AL厚度也对IQE有很大影响,不能太厚,也不能太薄,每种材料有其最佳范围。 

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AL参杂:AL绝对不可以重参杂,要么轻参杂,低过CL的参杂浓度,每种材料有其最佳范围,AL经常也不参杂。AL使用p型参杂多过使用n型参杂,p型参杂可以确保载流子在AL内的均匀分布。AL参杂有好处也有坏处,参杂浓度增加,辐射载流子的寿命缩短,同时导致辐射效率增加。但是,高浓度参杂也引入缺陷。有趣的是MOCVD生长在有些时候还依赖于参杂,杂质可以作为表面活化剂,增加表面扩散系数,从而改善晶体质量。例如,InGaN使用Si参杂就可以改善晶体质量。 


CL参杂:CL的电阻率是决定CL浓度的重要参数,浓度一定要低到不足以在CL中产生热效应,但是CL参杂又必须高过AL用来定义PN结的位置。每种材料有其最佳范围。但是p型浓度典型要高过n型。CL中p型杂质浓度过低将使电子从AL中逸出,从而降低IQE。 


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点击次数:  更新时间:2018-08-18 13:00:57  【打印此页】  【关闭